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在GOS图中，招募州站颜色代表的值表示晶格扭曲的强度，一般来说，红色则表示位错密度较高。图2AZ31B镁合金在不同循环周期下利用KAM图计算几何位错密度值[2]3.利用GOS定性判断位错密度晶粒取向扩展(GOS)是区分DRX晶粒与变形基体以及确定再结晶晶粒面积分数的重要方法，成功在本质上，成功它是在一个单一晶粒内的平均偏差和所有测量值之间的平均差值。最后，举行笔者还偷偷告诉大家，其实EBSD这门测试并没有什么，难的是分析，也就是要对材料科学基础有相当的了解。
图3TiAl合金在经过轧制后形成的GOS图及其分布图[3]4.利用DefRex图定性判断DefRex图可以用来定性判断变形晶粒，华为合作伙伴会杭亚结构以及再结晶晶粒，华为合作伙伴会杭众所周知，变形晶粒内部充满了位错，亚结构的形成需要消耗并吸收部分位错，位错密度较低，但是再结晶晶粒则基本无位错形成。诚然，发电利用KAM，发电GOS图分析材料内部的位错是EBSD测试的一个重要功能，也是分析材料加工过程中变形行为的有力工具，可以助力广大研友提高文章质量和命中率。
由此可见，行业变形晶粒内部存在大量的位错，这些位错所构成的一般是变形晶界，两侧的取向差不超过2°
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调整叠层双层之间的扭曲角导致莫尔图案的形成和电子态的操纵，举行从而导致对量子现象的观察，举行包括非常规的超导性、莫尔激子和可调谐的莫特绝缘体态。尽管Eshelby扭曲最近在层状锗(II)硫化物的螺旋分散纳米线上被证明，华为合作伙伴会杭但对于大面积的二维材料，每层的扭曲量是相当小的。
发电最近的理论研究也表明在不断扭曲的多层结构有趣的现象被称为3Dtwistronics。行业通过生长二硫化钨（WS2）和二硒化钨（WSe2）覆盖在螺旋中心附近的纳米粒子上。